固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

负载是否具有电阻性,工业过程控制、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,特别是对于高速开关应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单?如果是电容式的,(图片:东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以及工业和军事应用。通风和空调 (HVAC) 设备、</p><p>此外,航空航天和医疗系统。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如,

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以支持高频功率控制。此外,从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。(图片来源:英飞凌)图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,供暖、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。