但还有许多其他设计和性能考虑因素。

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并为负载提供直流电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以创建定制的 SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。模块化部分和接收器或解调器部分。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。