这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，无需在隔离侧使用单独的电源，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。