除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。可用于创建自定义 SSR。供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而实现高功率和高压SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、每个部分包含一个线圈，负载是否具有电阻性，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以支持高频功率控制。

此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。如果负载是感性的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。