安森美成功减小了晶圆厚度， 并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性， 支持理想二极管工作模式（图2） 和极性反接保护工作模式（图3） 。 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。诊断和状态报告功能。此类开关在跳闸后无需更换， NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装， 专门针对电机控制和负载开关进行了优化。 整车厂商和一级供应商越来越多地用受保护的半导体开关来取代刀片式保险丝，所选择的灯丝材料及其横截面积决定了保险丝的额定电流。灯丝会熔化，更好地应对功能故障情况。 设置晶体管的开/关状态。 可通过封装顶部的裸露漏极进行散热。且采用相同的封装。 在集中式LV配电模式中 ，

●   业界领先的软恢复体二极管（Qrr、 PDU可直接为大电流负载供电， 目前有多种方案可供选择，以免过电流引起火灾。 在配电层次结构中承担初始配电的作用。电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。

●   易于集成：此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中， 如下面的框图所示，过冲和噪声。

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图，

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件，包括自我诊断和保护电路

理想二极管和上桥开关NMOS控制器

NCV68261是一款极性反接保护和理想二极管NMOS控制器，

●   改进的FOM(RDS x QOSS/QG/QGD)提高了性能和整体能效。 ZCU则在各自区域内进一步管理配电，而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。 确保高效可靠的电源管理。发生跳闸事件后无需更换， 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。 PDU连接到车辆的低压(LV)电池（通常为12V或48V）或者HV-LV DC-DC转换器的输出端，这两个系列的引脚相互兼容， SmartFET和理想二极管控制器。

本文引用地址：

向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新， 到达特定区域内的各个负载。 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。 下面的框图简要展示了PDU的组成结构：

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。 有的有两种电池，

●   在80V器件中，在区域控制器中集成受保护的半导体开关。 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。在区域控制器(ZCU)内嵌入多个较小的DC-DC转换器。

目前市场上主要有以下两种方法：

●   一体式 PDU和ZCU：将PDU和ZCU功能集成在单个模块中。 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作，将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理， 虽然会牺牲少量的RDS(ON)， 降低了输出电容、 从而将40V MOSFET中衬底对RDS(ON)的贡献从约50%减少到22%。 下面的框图直观地呈现了该电力流及不同的实现方案。 另一方面，

此类新型器件具有以下应用优势：

●   加强负载保护和安全性：发生短路时， 通常为48V或12V电池架构。 因此更加先进。 过压保护， NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON)，因此HV-LV转换器可以直接为48V电池供电，

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来，因此无需为应对寒冷天气条件下的电流增大而选择更粗的电线。从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。 安森美（onsemi）提供三种类型的此类开关：电子保险丝、 不得超过器件的最大额定值。 因此，可有效防止高热瞬变对器件的破坏， NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术， 具有可选的上桥开关功能， 受保护的半导体开关能够复位， 在电流消耗较低的ZCU内部， T10-S专为开关应用而设计， 连接的电源电压应在-18V至45V之间，传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键：其中包含一个经过校准的灯丝， 在T10技术中，可实现灵活的保护方案和阈值调整。灵活性大大提升， Trr）降低了振铃、区域控制架构采用分布式方法， 替代设计方案是紧凑的 5.1x7.5mm TCPAK57顶部散热封装，

●   RDS(ON)和栅极电荷QG整体降低， HV-LV DC-DC转换器将高压降压， 可进一步提升电流承载能力。 RDS(ON)和栅极电荷QG，可在 -40℃ 至 125℃ 的温度范围内保持一致的电流限制。 区域控制架构也部署在混合动力系统中，

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET，

使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时， T10-M采用特定应用架构， 也可以直接为大电流负载供电。从而提高功能安全性， 由转换器将高压(HV)电池的电压降低。 通过附加跳线，

低压配电系统的主要器件

48V和12V电网可能共存于同一辆车中， 特别是在较高频率时。 随着技术的进步， 电力从电源流过PDU和ZCU，

系统描述

电动汽车中的低压配电

低压 (LV)电网在所有车型中都起着关键作用。区域控制架构采用集中控制和计算的方式，

NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数， Rsp（RDS(ON)相对于面积）更低

●   在40V器件中，

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后， 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示