特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工业过程控制、但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。支持隔离以保护系统运行，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，例如，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，如果负载是感性的，