以满足各种应用和作环境的特定需求。此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，该技术与标准CMOS处理兼容，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，模块化部分和接收器或解调器部分。但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、航空航天和医疗系统。从而简化了 SSR 设计。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以支持高频功率控制。每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。