例如，并为负载提供直流电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而简化了 SSR 设计。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，支持隔离以保护系统运行，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、以创建定制的 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。