图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要散热和足够的气流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如，并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，可用于创建自定义 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以及工业和军事应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，航空航天和医疗系统。涵盖白色家电、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，