并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而简化了 SSR 设计。例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以满足各种应用和作环境的特定需求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，