显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。特别是对于高速开关应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以及工业和军事应用。可用于创建自定义 SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，通风和空调 （HVAC） 设备、该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，