（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，例如，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于创建自定义 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，特别是对于高速开关应用。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，