从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，

还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并为负载提供直流电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以创建定制的 SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而简化了 SSR 设计。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如，供暖、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、负载是否具有电阻性，

此外，该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，无需在隔离侧使用单独的电源，在MOSFET关断期间，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，