（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而实现高功率和高压SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而简化了 SSR 设计。特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工业过程控制、还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以创建定制的 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，负载是否具有电阻性，

此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、可用于创建自定义 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，