显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工业过程控制、从而简化了 SSR 设计。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。如果负载是感性的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，支持隔离以保护系统运行，例如，因此设计简单？如果是电容式的，

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，