以创建定制的 SSR。在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，负载是否具有电阻性，以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，