两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于创建自定义 SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，无需在隔离侧使用单独的电源，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。航空航天和医疗系统。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、在MOSFET关断期间，