以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈，例如，并为负载提供直流电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，因此设计简单？如果是电容式的，支持隔离以保护系统运行，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要散热和足够的气流。工业过程控制、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，如果负载是感性的，此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。