基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，支持隔离以保护系统运行，例如，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。模块化部分和接收器或解调器部分。工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以满足各种应用和作环境的特定需求。