并为负载提供直流电源。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。可用于创建自定义 SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。航空航天和医疗系统。以创建定制的 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。