两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并为负载提供直流电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、例如，在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。航空航天和医疗系统。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，每个部分包含一个线圈，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。如果负载是感性的，因此设计简单？如果是电容式的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，支持隔离以保护系统运行，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。