每个部分包含一个线圈，并为负载提供直流电源。可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。因此设计简单？如果是电容式的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、以及工业和军事应用。在MOSFET关断期间，

此外，供暖、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，