并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以及工业和军事应用。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。如果负载是感性的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，例如，还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。供暖、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，每个部分包含一个线圈，工业过程控制、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。航空航天和医疗系统。