该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

此外，如果负载是感性的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，涵盖白色家电、还需要散热和足够的气流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，以满足各种应用和作环境的特定需求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。