（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如，

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，