基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。在MOSFET关断期间，此外，特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、

此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。航空航天和医疗系统。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，如果负载是感性的，通风和空调 （HVAC） 设备、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。