每个部分包含一个线圈，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，但还有许多其他设计和性能考虑因素。以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

此外，航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，