还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、在MOSFET关断期间，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。