显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以支持高频功率控制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。在MOSFET关断期间，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，特别是对于高速开关应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以创建定制的 SSR。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。但还有许多其他设计和性能考虑因素。