固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
宇多田光
2025-10-03 13:21:48
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两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以支持高频功率控制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，无需在隔离侧使用单独的电源，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
此外，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。设计应根据载荷类型和特性进行定制。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，支持隔离以保护系统运行，工业过程控制、在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要散热和足够的气流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，
基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。每个部分包含一个线圈，