基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。航空航天和医疗系统。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。支持隔离以保护系统运行，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，