供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，支持隔离以保护系统运行，以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以满足各种应用和作环境的特定需求。

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，模块化部分和接收器或解调器部分。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。因此设计简单？如果是电容式的，例如，此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，