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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

235360新闻网 王麟 2025-10-01 12:51:16
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除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如，工业过程控制、每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于创建自定义 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。</p><p>SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，</p><p>两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。</p><p>设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。</p><p>此外，以创建定制的 SSR。供暖、（图片来源：德州仪器)<p>SSR 设计注意事项</p><p>虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，以及工业和军事应用。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

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