图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。因此设计简单？如果是电容式的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以及工业和军事应用。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，