还需要散热和足够的气流。以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。每个部分包含一个线圈，因此设计简单？如果是电容式的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。