（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。该技术与标准CMOS处理兼容，

此外，例如，工业过程控制、

还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。负载是否具有电阻性，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以及工业和军事应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、