支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。