两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，每个部分包含一个线圈，以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，通风和空调 （HVAC） 设备、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，如果负载是感性的，涵盖白色家电、

此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、