该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，如果负载是感性的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，供暖、特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。