以满足各种应用和作环境的特定需求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。在MOSFET关断期间，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。支持隔离以保护系统运行，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，负载是否具有电阻性，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。供暖、还需要散热和足够的气流。如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。该技术与标准CMOS处理兼容，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工业过程控制、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。