基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

此外，此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、负载是否具有电阻性，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行，如果负载是感性的，

可用于创建自定义 SSR。以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，