基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。该技术与标准CMOS处理兼容，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，从而实现高功率和高压SSR。以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。每个部分包含一个线圈，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，