（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。特别是对于高速开关应用。支持隔离以保护系统运行，以支持高频功率控制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。