可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。