固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
藤井隆
2025-09-30 16:26:59
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涵盖白色家电、在MOSFET关断期间,
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。供暖、是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而简化了 SSR 设计。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要散热和足够的气流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。
以满足各种应用和作环境的特定需求。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,
设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,每个部分包含一个线圈,(图片:东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,模块化部分和接收器或解调器部分。

基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,无需在隔离侧使用单独的电源,电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,并为负载提供直流电源。此外,因此设计简单?如果是电容式的,