并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。如果负载是感性的，以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而简化了 SSR 设计。通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，但还有许多其他设计和性能考虑因素。模块化部分和接收器或解调器部分。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。无需在隔离侧使用单独的电源，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，供暖、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，