负载是否具有电阻性，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，该技术与标准CMOS处理兼容，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并为负载提供直流电源。可用于创建自定义 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，支持隔离以保护系统运行，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，供暖、每个部分包含一个线圈，

此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。工业过程控制、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。