显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，航空航天和医疗系统。负载是否具有电阻性，通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以创建定制的 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以满足各种应用和作环境的特定需求。

工业过程控制、无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。还需要散热和足够的气流。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于创建自定义 SSR。