设计应根据载荷类型和特性进行定制。特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，每个部分包含一个线圈，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，但还有许多其他设计和性能考虑因素。供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。