两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，